Huawei จดสิทธิบัตรใหม่ที่จะช่วยลดขั้นตอนและต้นทุนในการผลิตทรานซิสเตอร์ในชิปประมวลผล!

ล่าสุดนี้ Huawei ได้รับสิทธิบัตรเทคโนโลยีฉบับใหม่ หมายเลข CN116266536A ซึ่งเกี่ยวกับกระบวนการผลิตเซมิคอนดักเตอร์และการเตรียมทรานซิสเตอร์

Huawei ได้ตั้งชื่อสิทธิบัตรนี้ว่า “method for preparing semiconductor and transistors” ซึ่งมีจุดประสงค์เพื่อเตรียมทรานซิสเตอร์สำหรับผลิตชิป ด้วยวิธีการที่จะช่วยบริษัทลดต้นทุนการผลิตลงได้

เนื้อหาทางเทคนิคในสิทธิบัตรระบุว่า การผลิตทรานซิสเตอร์ในปัจจุบันจะใช้กระบวนการ Etching (ใช้กรดกัดแผงวงจร) เพื่อกัดกร่อนส่วนที่ซ้อนทับของชั้นไดอิเล็กทริก (interlayer dielectric layer) เพื่อสร้างช่องว่างและเกตโลหะ (metal gate)

ในขณะที่กระบวนการของสิทธิบัตรนี้จะมีขั้นตอนการนำชั้นสารตั้งต้นของเซมิคอนดักเตอร์มาซ้อนทับด้วยแผ่นออกไซด์ไดอิเล็กทริก, ชั้นไดอิเล็กทริกที่มีค่าคงที่ไดอิเล็กทริกสูง และดัมมีเกต (dummy gate) บนสารตั้งต้นของเซมิคอนดักเตอร์ จากนั้นจึงเป็นการเปิดร่องแหล่งจ่าย (source) ช่องไหลออก (drain) และจะสร้างรูที่เป็นวัสดุโลหะนำไฟฟ้า ซึ่งกระบวนการทั้งหมดนี้จะช่วยเพิ่มประสิทธิภาพในการผลิตให้ดีกว่าวิธีการปกติได้

แม้ว่า Huawei จะไม่ได้ให้ข้อมูลว่า เทคโนโลยีในสิทธิบัตรนี้จะถูกนำไปใช้ในกระบวนการผลิตหรือไม่ แต่มันก็แสดงให้เห็นถึงความพยายามที่จะวิจัยและพัฒนาชิปเซ็ตที่มีประสิทธิภาพอย่างต่อเนื่อง

ที่มา: HuaweiCentral

ภาพหน้าปก: MyDrivers

The post Huawei จดสิทธิบัตรใหม่ที่จะช่วยลดขั้นตอนและต้นทุนในการผลิตทรานซิสเตอร์ในชิปประมวลผล! appeared first on #beartai.